0755-82518934 13352983280
參數(shù)：
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Features | Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.032 |
| Iq (Max) (mA) | 0.038 |
| IGate source (Typ) (uA) | 26.3 |
| IGate sink (Typ) (mA) | 2.1 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.1 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | -6.5 |
| Design support | EVM |
| Rating | Automotive |
| Channel(s) controlled (#) | 1 |
| FET | External |
| VGS (Max) (V) | 13 |
裝封、引腳、尺寸：
WSON (DRR)129 mm² 3 x 3
特征：
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性
- 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護低至 -33V
- 針對輸入的無 TVS 運行集成 VDS 鉗位，從而實現(xiàn)符合 ISO7637 標(biāo)準(zhǔn)的脈沖抑制
- 低靜態(tài)電流：運行時 35µA（最大值）
- 3.3µA（最大值）低關(guān)斷電流（EN = 低電平）
- 17mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下，理想二極管正常運行
- 驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 集成型 30mA 升壓穩(wěn)壓器
- 快速響應(yīng)反向電流阻斷：0.5µs
- 高達 100kHz 的有源整流
- 可調(diào)節(jié)過壓保護
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
- 與 LM74720-Q1 引腳對引腳兼容
說明：
LM74721-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護負載免受低至 –33V（直流）負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持功能。集成的 VDS 鉗位功能可實現(xiàn)輸入無 TVS 的系統(tǒng)設(shè)計，從而在汽車應(yīng)用中實現(xiàn)符合 ISO7637 標(biāo)準(zhǔn)的脈沖抑制。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測試（如 ISO16750 或 LV124）期間實現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能，期間 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達 100kHz 的交流疊加輸入信號。運行期間的低靜態(tài)電流 35µA（最大值）可實現(xiàn)常開型系統(tǒng)設(shè)計。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許使用 EN 引腳實現(xiàn)負載斷開控制。在 EN 處于低電平時，靜態(tài)電流降至 3.3µA（最大值）。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護功能，可提供負載突降保護。
