參數(shù):
Vin (Min) (V) | 3 |
Vin (Max) (V) | 65 |
Features | Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
Iq (Typ) (mA) | 0.032 |
Iq (Max) (mA) | 0.038 |
IGate source (Typ) (uA) | 26.3 |
IGate sink (Typ) (mA) | 2.1 |
IGate pulsed (Typ) (A) | 2.1 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
VSense reverse (Typ) (mV) | -6.5 |
Design support | EVM |
Rating | Automotive |
Channel(s) controlled (#) | 1 |
FET | External |
VGS (Max) (V) | 13 |
裝封、引腳、尺寸:
WSON (DRR)129 mm² 3 x 3
特征:
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性
- 器件溫度等級(jí) 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護(hù)低至 -33V
- 針對(duì)輸入的無(wú) TVS 運(yùn)行集成 VDS 鉗位,從而實(shí)現(xiàn)符合 ISO7637 標(biāo)準(zhǔn)的脈沖抑制
- 低靜態(tài)電流:運(yùn)行時(shí) 35µA(最大值)
- 3.3µA(最大值)低關(guān)斷電流(EN = 低電平)
- 17mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行
- 驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
- 集成型 30mA 升壓穩(wěn)壓器
- 快速響應(yīng)反向電流阻斷:0.5µs
- 高達(dá) 100kHz 的有源整流
- 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
- 與 LM74720-Q1 引腳對(duì)引腳兼容
說(shuō)明:
LM74721-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –33V(直流)負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來(lái)代替肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持功能。集成的 VDS 鉗位功能可實(shí)現(xiàn)輸入無(wú) TVS 的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而在汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)符合 ISO7637 標(biāo)準(zhǔn)的脈沖抑制。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強(qiáng)大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測(cè)試(如 ISO16750 或 LV124)期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能,期間 ECU 會(huì)收到輸入短時(shí)中斷以及頻率高達(dá) 100kHz 的交流疊加輸入信號(hào)。運(yùn)行期間的低靜態(tài)電流 35µA(最大值)可實(shí)現(xiàn)常開型系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下,該器件允許使用 EN 引腳實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷開控制。在 EN 處于低電平時(shí),靜態(tài)電流降至 3.3µA(最大值)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能,可提供負(fù)載突降保護(hù)。